TSMC lancerà il processo a 12 nm, lasciando GlobalFoundries nella polvere

All'inizio di quest'anno è emersa una dopo l'altra la scarsa resa di Samsung, TSMC e Intel nel processo a 10 nm. Samsung è stata la più colpita, perché Qualcomm prevede di lanciare ufficialmente il processore Snapdragon 835 nel secondo trimestre di quest'anno e il problema del tasso di rendimento porterà a continue carenze di fornitura; Intel è la più rilassata. Hanno lanciato il KabyLake da 14 nm all'inizio del 2017 e il processo da 10 nm non è ancora stato introdotto nella produzione; Anche il processo a 10 nm di TSMC presenta un problema di bassa resa, ma Apple, il principale cliente di TSMC, si sta preparando a lanciare nuovi prodotti a settembre, quindi ha ancora tempo per risolvere il problema della bassa resa.

Se la tecnologia a 10 nm non riuscisse a raggiungere il tasso di rendimento desiderato da TSMC, il problema della capacità produttiva insufficiente persisterebbe. Per gli altri clienti che non possono accedere al processo più avanzato a 10 nm, utilizzare la versione migliorata a 16 nm è un'ottima scelta. Il processo a 16 nm di TSMC ha iniziato la produzione di massa già nel 2015. Sebbene molte fonti esterne indichino che il 16 nm di TSMC e il 14 nm di Samsung siano solo versioni migliorate del processo a 20 nm, sono molto migliori del 20 nm in termini di prestazioni e consumo energetico. Quando è stato segnalato che la resa del processo a 10 nm di TSMC non stava migliorando, si è diffusa la notizia che TSMC avrebbe lanciato il processo a 12 nm per salvare la situazione.

Il processo a 10 nm lanciato questa volta da TSMC è in realtà una versione miniaturizzata e migliorata dell'attuale processo a 16 nm, con un tasso di perdite e costi inferiori e supera il processo a 14 nm di Samsung in termini di larghezza di linea. TSMC ha rinominato la versione migliorata da 16 nm in 12 nm per contrastare i vantaggi di processo di concorrenti come Samsung, GlobalFoundries e SMIC e controllare saldamente il mercato delle fonderie di wafer da 10-28 nm.

Di fatto, l'anno scorso GlobalFoundries si è ritirata dal processo FD-SOI a 12 nm. Rispetto al processo FinFET a 16 nm, il processo a 12 nm può ridurre il consumo energetico del 50%, migliorare le prestazioni del 15% e ridurre i costi delle maschere del 40% rispetto a 10 nm. Tuttavia, poiché Samsung ha chiarito che il suo processo a 10 nm è destinato principalmente a piattaforme a basso consumo, GlobalFoundries ha direttamente saltato il processo a 10 nm e ha avviato la ricerca e lo sviluppo del processo a 7 nm.

Sebbene TSMC utilizzi il processo a 16 nm da quattro generazioni, il suo processo più maturo consente di raggiungere la produzione di massa e la spedizione in un periodo di tempo più breve; GlobalFoundries si trova in una posizione leggermente scomoda, poiché la produzione in serie del suo FD-SOI da 12 nm richiederà più tempo, il che la porterà a rimanere indietro rispetto alla produzione di semiconduttori più avanzata al mondo.

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